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HJ5210 High temperature P-groove enhanced power MOSFET

HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点,可广泛应用于高速功率开关、继电器驱动器和通用切换应用程序,DC-DC和DC-AC转换器用于电信、工业和照明设备。可替代IRF5210,且该产品已实现全国产化。

The category: PMOSFET Transistor



Product overview

HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点,可广泛应用于高速功率开关、继电器驱动器和通用切换应用程序,DC-DC和DC-AC转换器用于电信、工业和照明设备。可替代IRF5210,且该产品已实现全国产化。

Keyword:
驱动
开关
功率
电信
使用
替代
应用于
速度快
照明设备
继电器


HJ5210 High temperature P-groove enhanced power MOSFET

HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点,可广泛应用于高速功率开关、继电器驱动器和通用切换应用程序,DC-DC和DC-AC转换器用于电信、工业和照明设备。可替代IRF5210,且该产品已实现全国产化。
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Product serial number
Model:
HJ5210
Key parameter:
Ron:60mΩ
Driver persistent current (IC/A):
-40
Breakdown voltage (VCEO/V):
-100
Operating Temperature (TA/℃):
-55~+125
Package:
TO-257
Profile:

HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点

Quantity
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Stock:
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Keyword:
驱动
开关
功率
电信
使用
替代
应用于
速度快
照明设备
继电器
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Product description
Parameters

HJ5210具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点,可广泛应用于高速功率开关、继电器驱动器和通用切换应用程序,DC-DC和DC-AC转换器用于电信、工业和照明设备。可替代IRF5210,且该产品已实现全国产化。

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