111 HJ9435-3
HJ9435 High temperature P-groove enhanced power MOSFET
HJ9435具有开关速度快、导通电阻低、电流能力强、栅电容小、使用环境温度高等特点,可广泛应用移动设备的电源管理器、DC-DC转换器、马达驱动、电池供电系统以及测井等高温环境中。
主要特点有:
漏源电压VDS -30V
连续漏电流ID -5.3A
栅电容小 790pF
开关速度快
极低的导通电阻RDS(ON) 50mΩ
高的工作温度 200℃
The category: PMOSFET Transistor
Product overview
主要特点有:
漏源电压VDS -30V
连续漏电流ID -5.3A
栅电容小 790pF
开关速度快
极低的导通电阻RDS(ON) 50mΩ
高的工作温度 200℃
Keyword:
驱动
rds
极低
电流
主要特点
vds
790pf
电阻
电容
速度快
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None
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Method of contact and profession
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Fax:029-89259996
Email:hj@hangjingic.com
Floor 9, Building 3, 299 Industrial Road 2, Xi 'an Aerospace Base
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Mr Zhao(Technology):13572473285
Tel:029-89259995
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