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HJ540 Sic MOSFET
HJ540 是由先进工艺制成的NMOSFET功率晶体管,具有非常低的导通电阻(90mΩ)和快的开关速度。先进制造工艺保证HJ540工作环境温度达到200 ℃以上。
HJ540采用有BeO基片的TO-257金属全密封外壳封装,三个引出端和外壳(散热器)是绝缘的,外壳可以接任一电位,使用方便,可广泛应用于驱动继电器、显示器、传感器以及逻辑接口等电路中。
The category: NMOSFET Transistor
Product overview
具有非常低的导通电阻(90mΩ)和快的开关速度。先进制造工艺保证HJ540工作环境温度达到200 ℃以上。
HJ540采用有BeO基片的TO-257金属全密封外壳封装,三个引出端和外壳(散热器)是绝缘的,外壳可以接任一电位,使用方便,可广泛应用于驱动继电器、显示器、传感器以及逻辑接口等电路中。
Keyword:
hj540
外壳
驱动
基片
非常
三个
使用方便
应用于
以上
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Basic information
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Fax:029-89259996
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Tel:029-89259995
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