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HJ393A/B/CHigh temperature SiC-MOSFET/IGBT isolated driver
HJ393A/B/C是耐高温SiC-MOSFET/IGBT隔离式驱动器,内含DC/DC驱动、变压器、整流滤波、高速数字隔离和栅驱动器,实现单电源+5V供电。该电路内部产生隔离的VCC(+13V~+20 V)正电源电压和VEE(-3V~-6V)负电源电压。根据输入PWM信号频率的不同,分为A、B、C三挡。
HJ393A能将最大500KHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号;
HJ393B能将最大800KHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号;
HJ393C能将最大1MHz占空比为0-100%的TTL /CMOS电平PWM信号转换成隔离的VCC到VEE的驱动信号。
由于超宽的禁带能级,使得用SiC材质制作的NMOS管的正向跨导比传统的Si材质的小,故为了达到额定的ID电流,那么需要的栅源电压要大一些。另外,为了保证在Tj≥250℃下MOS管能够可靠关断,以及减小SiC-MOSFET的密勒效应,保证高温下输入低电平的噪声容限,SiC MOS管需要一个负偏压关断,这点类似于IGBT管。该器件可满足SiC-MOS管/IGBT管栅极驱动的要求,确保SiC-MOS管/IGBT管的可靠导通和关断。其最大瞬态峰值驱动电流为4A,且具有较高的隔离度和抗扰度,确保在高频PWM信号和高电压的情况下电路可靠工作。
The category: MOSFET Drive
Product overview
主要特点有:
自带DC/DC隔离电源,系统只需要提供数字5V即可 1800VDC峰值隔离
高共模瞬变抑制:CMTI≥50KV/μS 最高工作温度可达200℃
能实现IGBT管/SiC-MOS管的负电压关断 输入输出信号隔离
充放电时间快,延迟时间短:(tr、tf≤50nS) 0-100%占空比应用,适合高压大功率开关应用
最高工作频率HJ393A:500KHz; HJ393B:800KHz; HJ393C:1MHz
瞬态峰值驱动电流HJ393A:±9A; HJ393B:-2.5A/+5A; J393C:±1.5A
Keyword:
igbt
隔离
hj393b
hj393a
应用
峰值
最高
dc
充放电
频率
Contact information
Basic information
Method of contact and profession
Company information
Fax:029-89259996
Email:hj@hangjingic.com
Floor 9, Building 3, 299 Industrial Road 2, Xi 'an Aerospace Base
Mr Zhao(Marketing):13909261884
Mr Zhao(Technology):13572473285
Tel:029-89259995
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