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HJ2SD718(NPN) bipolar transistor

HJ2SD718(NPN)/ HJ2SB688(PNP)晶体管主要用于音频功率放大,大负载驱动电路,中大容量,开关电路,自动控制电路等,主要特点有反向漏电小、饱和压降小等。     电原理图如图1所示。       NPN型       图1 电原理图          PNP型 封装形式及引出端功能 1.封装形式 采用B-3D金属圆外壳封装,外形尺寸见图 2所示。 图2 B-3D封装外形尺寸

The category: N-P-N Triode



Product overview

主要特点有反向漏电小、饱和压降小等。

Keyword:
极性
主要特点
饱和
漏电
反向


HJ2SD718(NPN) bipolar transistor

HJ2SD718(NPN)/ HJ2SB688(PNP)晶体管主要用于音频功率放大,大负载驱动电路,中大容量,开关电路,自动控制电路等,主要特点有反向漏电小、饱和压降小等。     电原理图如图1所示。       NPN型       图1 电原理图          PNP型 封装形式及引出端功能 1.封装形式 采用B-3D金属圆外壳封装,外形尺寸见图 2所示。 图2 B-3D封装外形尺寸
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1000
Product serial number
Model:
HJ2SD718
Key parameter:
fT:10MHz
Driver persistent current (IC/A):
0.5
Breakdown voltage (VCEO/V):
120
Operating Temperature (TA/℃):
-55~+125
Package:
B-3D
Profile:

HJ2SD718(NPN)晶体管主要用于音频功率放大,大负载驱动电路,中大容量,开关电路,自动控制电路等

Quantity
-
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0
Keyword:
极性
主要特点
饱和
漏电
反向
1
Product description
Parameters

主要特点有反向漏电小、饱和压降小等。

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金惠

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