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HJ1107 Antistatic high precision low drift low power single operational amplifier

HJ1107是一种高精度、低漂移、低噪声、低功耗和抗静电的双极性半导体集成电路,由介质隔离工艺制成。使用中不需要调零、频率补偿和外接保护电路。主要应用于电子系统前置放大、误差放大、直流信号放大、直接耦合放大、仪表放大器、双路和四路匹配放大等要求高精度、低漂移、高可靠及抗静电等信号处理的场合,特别适于放大传感器的微弱信号,可涉及国防、军用、石油勘探和工业等多种领域。HJ1107分别可直接替代AD公司的OP07。




Product overview

其特点有:

静电损伤阈值电压          4000V           低电压噪声                8nV/

低输入失调电压(典型)     10μV           失调电压温度系数        0.2μV/℃

低输入偏置电流               ±1nA           低输入失调电流             ±0.5nA

宽电源电压范围            4.540V           电源电流 (单个OP)       440μA 

/个运算放大器参数有极好的一致性          不存在输出相位倒相

 

Keyword:
HJ1107
OP07
高精度
低漂移
低噪声
低功耗
抗静电


HJ1107 Antistatic high precision low drift low power single operational amplifier

HJ1107是一种高精度、低漂移、低噪声、低功耗和抗静电的双极性半导体集成电路,由介质隔离工艺制成。使用中不需要调零、频率补偿和外接保护电路。主要应用于电子系统前置放大、误差放大、直流信号放大、直接耦合放大、仪表放大器、双路和四路匹配放大等要求高精度、低漂移、高可靠及抗静电等信号处理的场合,特别适于放大传感器的微弱信号,可涉及国防、军用、石油勘探和工业等多种领域。HJ1107分别可直接替代AD公司的OP07。
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0.0
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0
Product serial number
Model:
HJ1107
VDD/V:
4.5V~40V
GBWP/MHz:
1.5
IQ:
0.44mA
VOS:
10uV
IIB:
0.2nA
SR:
0.5 V/us
TA:
-55℃~125℃
Package:
T-08、D08S2、F08-06
Product overview:

HJ1107是一种高精度、低漂移、低噪声、低功耗和抗静电的双极性半导体集成电路,由介质隔离工艺制成。

Quantity
-
+
Stock:
0
Keyword:
HJ1107
OP07
高精度
低漂移
低噪声
低功耗
抗静电
1
Product description
Parameters

其特点有:

静电损伤阈值电压          4000V           低电压噪声                8nV/

低输入失调电压(典型)     10μV           失调电压温度系数        0.2μV/℃

低输入偏置电流               ±1nA           低输入失调电流             ±0.5nA

宽电源电压范围            4.540V           电源电流 (单个OP)       440μA 

/个运算放大器参数有极好的一致性          不存在输出相位倒相

 

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